GaN FET支持MHz級(jí)開關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過減小無源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源icU8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！

快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。

在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。快充電源ic U8609內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。

快充電源icU8609集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8609通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaNFET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

快充電源icU8609內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路，省去外部啟動(dòng)電阻，合封GaN功率器件減少驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度，集成谷底鎖定QR模式降低開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化，既降低成本又提高可靠性！