欧美亚洲日产综合新一区,普通话Jizzyou中国少妇,在线亚洲+欧美+日本专区,亚洲AV日韩综合一区二区三区

全國(guó)咨詢熱線:133-1680-5165

首頁(yè) 公司新聞

18W PD快充芯片U6615S有效縮短充電時(shí)長(zhǎng)

2022-12-01 14:34:58 

為了滿足5G、大屏幕以及處理器的負(fù)載要求,智能手機(jī)勢(shì)必要搭載越來越大容量的電池。在不能過多的增長(zhǎng)手機(jī)的體積以及重量的情況下,手機(jī)廠商都執(zhí)著于不斷發(fā)展快充技術(shù)。采用深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U6615S,可有效縮短充電時(shí)長(zhǎng),及時(shí)給手機(jī)續(xù)航。

U6615S電源芯片ic

低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本PD快充芯片U6615S結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM4A/630V MOSFEET的模式控制器適用于18W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。U6615S集成 650V MOSFET,±4% 恒流、恒壓精度,待機(jī)功耗<70mW多模式原邊控制方式,工作無異音,優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)可調(diào)式線損補(bǔ)償,集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償,集成有多種保護(hù)功能VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過壓保護(hù)(OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù)(SLP)VDD箝位等。

PD快充芯片U6615S具有數(shù)字頻率洗牌技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)電磁干擾性能,固定65k HzPWM開關(guān)頻率,低待機(jī)功耗(<75W@230Vac);軟啟動(dòng),以減少MOSFET VD S應(yīng)力;低啟動(dòng)電流(<10uA@VCC=12V)。輸出規(guī)格為5、9、12-18W,應(yīng)用于PD/QC市場(chǎng),VDD-40V max18W,引腳特征如下:

1 GND 芯片參考地。

2 VDD 芯片供電管腳。

3 FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于光電耦合器相連,此腳位電壓決定了PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。

4 CS 電流采樣輸入管腳

5、67、8 D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

深圳銀聯(lián)寶科技PD快充芯片U6615S轉(zhuǎn)換效率高,兼容性好,批量采購(gòu)價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯,有意向的小伙伴可上我司官網(wǎng)http://www.32t53.cn/了解更多資訊,或者直接電話聯(lián)系我們400-778-5088

網(wǎng)友熱評(píng)