發(fā)電、輸電、儲電和用電的各個環(huán)節(jié)需要更智能、更高效的能源管理，才能更好實現(xiàn)降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半導(dǎo)體技術(shù)則是這一鏈條各環(huán)節(jié)的核心所在。GaN技術(shù)的一個典型應(yīng)用是，提升智能手機和筆記本電腦的充電器效率和功率密度。在GaN FET驅(qū)動市場，有這么一顆廣受關(guān)注的快充電源芯片U8609，推薦給各位小伙伴！

快充電源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

在手機充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。快充電源芯片U8609內(nèi)置線損補償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。

快充電源芯片U8609主要特征：

●原邊反饋控制，無需光耦和TL431

●集成700V GaN FET驅(qū)動

●集成高壓啟動功能

●谷底鎖定QR模式

●最高工作頻率130kHz

●外置環(huán)路補償

●驅(qū)動電流分檔配置

●內(nèi)置線損補償

●集成完善的保護功能

●輸出短路保護(FB SLP)

●輸出過壓保護(FB OVP)

●輸入欠壓保護(Line BOP)

●輸入過壓保護(Line OVP)

●過溫保護(OTP)

●VDD過欠壓保護和鉗位保護

●封裝形式 DASOP-7

快充電源芯片U8609采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8609采用了谷底鎖定工作模式，在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

快充電源芯片U8609搭配同步整流芯片的電源方案，盡可能減少功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的損耗，設(shè)計簡約化，降低成本，實現(xiàn)更優(yōu)異的性能指標(biāo)！