快充的核心使命是實現(xiàn)快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設(shè)計，旨在顯著縮短手機、平板等設(shè)備的充電時間。快充線必須內(nèi)置專用芯片或通過特定物理結(jié)構(gòu)，以識別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，特別適應(yīng)于快速充電器及適配器上！

PD快充芯片U8722BH特性：

●集成700V E-GaN

●集成高壓啟動功能

●超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

●集成EMI優(yōu)化技術(shù)

●驅(qū)動電流分檔配置

●集成Boost供電電路

●集成完備的保護功能：

VDD過壓/欠壓保(VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(OVP)

輸入欠壓保護(BOP)

片內(nèi)過熱保護(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過流保護(AOCP)

短路保護(SCP)

過載保護(OLP)

過流保護(SOCP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護

●封裝類型HSOP-7

PD快充芯片U8722BH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722BH通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如表所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。不同驅(qū)動電流檔位的DEM電阻推薦值參考下表（以20V為例）。

快充因承載更大功率，對質(zhì)量、做工、散熱要求極高。選擇正規(guī)廠家出品的PD快充芯片，可以有效保障充電器的效率、安全！深圳銀聯(lián)寶科技PD快充芯片通過嚴(yán)格的安全認(rèn)證，六級能效，綠色環(huán)保，值得信賴！