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[公司新聞]全負載高效率、低空載損耗的充電器芯片U86212024年11月26日 11:18: 超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結(jié)MOSFET的導通電阻遠小，適用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應用。此外，超結(jié)MOSFET的額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。充電器芯片U8621主要功能如下： 1、系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流充電器芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動; 閱讀（28）標簽：

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