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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動EMI
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48W系列 48W能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
- [公司新聞]5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設(shè)備能工作的穩(wěn)定低電壓，確保設(shè)備正常運行。除了電腦、手機、游戲機，還廣泛配套于安防攝像頭、機頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設(shè)備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN電源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動電流分
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8725AHE平衡效率和最優(yōu)EMI性能2025年07月18日 11:23
- 氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5v2a小功率離線式手機充電器ic U951432025年07月17日 10:42
- 手機充電器ic是充電設(shè)備中的核心部件，關(guān)乎充電效率與安全性。在尋找高效充電解決方案時，不妨考慮深圳銀聯(lián)寶的這款手機充電器icU95143。U95143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用！ 手機充電器icU95143主要特性： 內(nèi)置超高壓功率BTJ 谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高 多模式原邊控制方式 優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng) 集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路 工作無異音 優(yōu)化的EMI性能 恒流、恒壓調(diào)整率小
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- [公司新聞]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套電源方案可選2025年07月16日 14:21
- 電源芯片方案的成本優(yōu)化可從芯片選型、模塊化設(shè)計、外圍元件減少等方面實現(xiàn)。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數(shù)量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點，還有搭配的同步整流芯片介紹！ PD快充芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設(shè)計者更加輕松應(yīng)對能源之星六或者能效六級的能效標(biāo)準(zhǔn)。頻率抖動功能U86
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5V2A充電器電源應(yīng)用方案：U9513B+U7710SMC2025年07月15日 15:17
- 充電器的選擇直接影響使用體驗。5V2A作為常見的充電規(guī)格，電源應(yīng)用方案的選擇非常重要。深圳銀聯(lián)寶科技的5V2A充電器電源應(yīng)用方案：U9513B+U7710SMC，因安全性高、成本低、兼容強三大優(yōu)勢一直備受青睞，一起了解下！ 充電器芯片U9513B主要特征： ●內(nèi)置超高壓功率BTJ ●谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高 ●多模式原邊控制方式 ●優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng) ●集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路 ●工作無異音 ●優(yōu)化的EMI性能 ●恒流、恒壓調(diào)整率小于±5% ●超低待機功耗30
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- [公司新聞]銀聯(lián)寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)
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