前沿消隱是開關(guān)電源系統(tǒng)中用于消除功率器件導通瞬間脈沖尖峰引發(fā)誤觸發(fā)動作的保護技術(shù)。該技術(shù)通過在開關(guān)管導通后設定特定消隱時間窗口，在此期間屏蔽電流檢測信號，避免寄生電容充放電或變壓器漏感導致的尖峰電壓誤觸發(fā)過流保護機制?，F(xiàn)代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護等模塊集成，形成復合保護體系。一起來看看36W E-GaN快充電源ic U8609的前沿消隱是如何發(fā)揮作用的！

由于原邊功率開關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關(guān)開通瞬間會在采樣電阻上產(chǎn)生電壓尖刺。為避免驅(qū)動信號被錯誤關(guān)閉，36W E-GaN快充電源ic U8609內(nèi)部集成有前沿消隱功能。在開關(guān)管導通之后的TLEB_OCP(典型值 320ns)時間內(nèi)，峰值電流比較器不會關(guān)閉功率開關(guān)。在異常過流保護狀態(tài)下(AOCP)，為保證系統(tǒng)可靠性，當CS管腳電壓達到AOCP保護閾值VCS_AOCP(典型值 -1.2V)時，前沿消隱時間進一步降低到TLEB_AOCP(典型值 130ns)。

36W E-GaN快充電源ic U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。U8609集成有多種保護功能：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(VDD OVP)、輸出短路保護(FB SLP)、輸出過壓保護(FB OVP)、輸入過壓保護(Line OVP)、輸入欠壓保護(Line BOP)和過溫保護(OTP)等。

在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。36W E-GaN快充電源ic U8609內(nèi)置線損補償功能，根據(jù)負載的變化調(diào)整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。

有了前沿消隱的36W E-GaN快充電源ic U8609可以不用去加RC濾波電路，有效保證電源芯片的穩(wěn)定性，避免出現(xiàn)誤判導致整個電源系統(tǒng)崩潰，省空間省成本，千萬別錯過！