GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。

GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。

在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。GaN快充芯片U8609內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。

GaN快充芯片U8609集成外置NTC功能，NTC引腳外接NTC電阻，通過內(nèi)部上拉電流源上拉，檢測(cè)NTC引腳電壓，當(dāng)判定NTC管腳電壓小于VOTP時(shí)，觸發(fā)過溫保護(hù)功能。過溫保護(hù)設(shè)置0.1V的遲滯區(qū)間。

系統(tǒng)異常狀態(tài)下(如副邊整流管短路，變壓器繞組短路)，當(dāng)功率開關(guān)的峰值電流達(dá)到AOCP的閾值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入AOCP保護(hù)模式，降低系統(tǒng)開關(guān)頻率，如果連續(xù)三個(gè)開關(guān)周期觸發(fā)AOCP狀態(tài)后，GaN快充芯片U8609系統(tǒng)進(jìn)入自動(dòng)重啟保護(hù)模式保護(hù)模式。