電源芯片陣營S1108SA重拳出擊

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2021-12-01 15:12:30【大中小】

電源芯片S1108SA結(jié)合了一個專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本。

電源芯片S1108SA主要特點(diǎn)：

集成 650V MOSFET

±4% 恒流、恒壓精度

待機(jī)功耗<70mW

多模式原邊控制方式

工作無異音

優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)

可調(diào)式線損補(bǔ)償

集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償

集成完善的保護(hù)功能

電源芯片S1108SA引腳定義：

1 腳GND 芯片參考地。

2 腳VDD 芯片供電管腳

3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了 PWM 驅(qū)動信號的占空比和 CS 管腳的關(guān)斷電壓。

4 腳CS 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

電源芯片S1108SA適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。S1108SA集成有多種保護(hù)功能：VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過壓保護(hù) (OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù) (SLP) 和 VDD箝位等。

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