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高精度的原邊反饋內(nèi)置MOS芯片TB6806SA

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-07-10 18:15:08【


在小功率消費類電子應(yīng)用中,反激式電源是主流,隨著電源功率密度的提高,為考量空間和成本帶來的壓力,一般電源管理IC設(shè)計師會把控制芯片和MOS封在一起,名曰內(nèi)置MOS”,反激式原邊反饋電源芯片非常適合小功率段,同時天然提供了隔離的效果。

原邊反饋省去了431和光耦,主要為其應(yīng)用電路有效節(jié)省空間以及成本,在省去了這些元器件之后,為了實現(xiàn)高精度的恒流/恒壓(CC/CV)特性,必然要采用新的技術(shù)來監(jiān)控負(fù)載、電源和溫度的實時變化以及元器件的同批次容差,這就涉及到初級(原邊)調(diào)節(jié)技術(shù)、變壓器容差補償、線纜補償和EMI優(yōu)化技術(shù)。

銀聯(lián)寶科技原邊反饋內(nèi)置MOS芯片TB6806SA作在原邊檢測模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供了極為的自恢復(fù)保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。內(nèi)置高壓啟動電路和極低的芯片工作電流使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機功耗標(biāo)準(zhǔn)。

芯片TB6806SA在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的Rs電阻進行調(diào)節(jié);在恒壓模式,PFM工作模式可獲得較高的性能和效率。輕載時,該芯片采用較小的峰值電流工作以減小音頻噪聲。另外,輸出線電阻補償功能有助于獲得較好的負(fù)載調(diào)整率。

原邊反饋內(nèi)置MOS芯片TB6806SA的特點:

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET 
效率滿足六級能效要求 
低待機功耗小于75mW 
內(nèi)置600V 功率MOSFET

封裝:SOP-8

銀聯(lián)寶電子主營:國產(chǎn)AC/DC系列電源芯片、LED芯片、鋰電充電IC芯片、傳感器應(yīng)用ic芯片、音頻功放IC等IC芯片,其產(chǎn)品具備性能優(yōu)良、性價比高、兼容性好等優(yōu)勢,可優(yōu)勢兼容例如昂寶、晶豐明源、士蘭微、啟達、矽力杰、硅動力、芯茂微、微盟等品牌驅(qū)動IC芯片,且腳位PIN對PIN,大多數(shù)品牌驅(qū)動IC兼容替換之后PCB板不需做任何的改動,并且測試參數(shù)比較其他品牌均有優(yōu)勢,已有多數(shù)廠商批量生產(chǎn)。

 

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