耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！

PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON( 典型值12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。

如圖2所示，在啟動(dòng)過程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1(典型值 0.3mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對(duì)地短路時(shí)的芯片功耗。當(dāng)VDD電壓超過3V時(shí)，充電電流增加到IHV2 (典型值 3.4mA)，以縮短啟動(dòng)時(shí)間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當(dāng)VDD電壓降到VVDD_REG (典型值 9V)時(shí)，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時(shí)間超過75ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時(shí)，芯片將觸發(fā)保護(hù)。當(dāng)PD快充芯片U8722SP觸發(fā)保護(hù)狀態(tài)時(shí)，系統(tǒng)停止打驅(qū)動(dòng)，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST(典型值 12V)。

PD快充芯片U8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。U8722SP根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722SP 700V耐壓可覆蓋更高波動(dòng)范圍，安全性更優(yōu)，成本可控，量大可談，有意向的小伙伴可直接聯(lián)系13316805165，更多優(yōu)質(zhì)芯片等你來詢！