PD 20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B規(guī)格參數(shù)：

1、輸入規(guī)格：90V-264V 50/60Hz

2、輸出規(guī)格：C口 PD20W——5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A

3、芯片型號：主控——U8722BAS、同步——U7612B、協(xié)議——SDC5433 &5493C

PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722BAS通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

PD快充芯片U8722BAS系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。

同步整流芯片U7612BPCB設(shè)計(jì)建議：

1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3) HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點(diǎn)位置對CCM應(yīng)力有影響，HV檢測點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4) R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

同步整流芯片U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7612B的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。

PD 20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B方案的平均效率（12V1.67A）測試結(jié)果230V/50Hz：88.51%，滿載效率（12V1.67A）測試結(jié)果230V/50Hz：89.80 %。高溫40℃裸板開關(guān)機(jī)測試無問題，高溫40℃裸板滿載老化無問題，六級能效，可靠值拉滿！