- 03-03 2017
- 電源芯片技術(shù)的創(chuàng)新 我國電源芯片制造業(yè)的相關(guān)企業(yè)規(guī)模都比較小，同時欠缺高端技術(shù)，而且我國電源芯片制造業(yè)所掌握的工藝與半導體巨頭相比存在很大的差距。所以，對我我國家電行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，站在一個高度，制定長遠的目標。 查看詳情
- 03-02 2017
- 【銀聯(lián)寶消息】富士康擬在印度建LCD生產(chǎn)線供需索尼 深圳市銀聯(lián)寶電子科技有限公司是一家專注電源應用方案芯片供應商，為中小電源廠提供工廠管理工藝標準流程，根據(jù)客戶需求開發(fā)優(yōu)化的電源方案、定制方案。 查看詳情
- 03-02 2017
- 【銀聯(lián)寶行業(yè)資訊】手機面板陷入消耗戰(zhàn)小米是震源 日本中小型液晶面板廠商日本顯示器公司2月12日發(fā)布了2014年10-12月期合并財報，凈利潤達到上年同期的2.8倍，增191億日元。面向美國蘋果和小米智能手機的銷量增長拉動了業(yè)績，但情況并非十分樂觀。 查看詳情
- 03-02 2017
- 什么是三極管？ 三極管，又簡稱雙極結(jié)型三極管，相當于兩個背靠背的二極管PN結(jié)。正向偏置的EB結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其間大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的CB結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū)，形成集電極電流IC。在共發(fā)射極晶體管電路中，發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置，其電壓降很小。 查看詳情
- 03-02 2017
- 【銀聯(lián)寶話題】美國科學家們利用迄今薄半導體造出新型納米 美國科學家們利用迄今纖薄(僅為三個原子厚)的半導體，制造出一種新型納米激光器，其不僅能效更高，容易制造且可與目前的電子設(shè)備兼容。研究人員表示，這一研究成果為終制造出用光而非電子傳輸信息的下一代計算設(shè)備奠定了堅實的基礎(chǔ)。下面銀聯(lián)寶小編和你一起了解實際情況。 查看詳情
- 03-02 2017
- 【銀聯(lián)寶導讀】曲面手機助陣LG拼全年市占達5％ 銀聯(lián)寶小編邀您一起實時關(guān)注電子行業(yè)新動態(tài)。LG臺灣新任董事長李址炯表示，看好曲面智能型手機掀起的市場熱度，不僅替LG代曲面手機G Flex 2訂下銷售量較第1代成長超過1倍的目標，今年臺灣區(qū)銷售量也是挑戰(zhàn)成長3成、出貨量超過30萬支，希望今年能達成全年銷售值市占率5%的目標。 查看詳情
- 03-02 2017
- PFC節(jié)能元件全系列產(chǎn)品介紹 PFC節(jié)能元件整流器工藝在30V/300V產(chǎn)品已經(jīng)成熟，并且量產(chǎn)多種封裝及電流。150V/300V高壓應用範圍，PFC量產(chǎn)的金屬氧化物整流器，能提升客戶電源的效率，簡化電路架構(gòu)，並能降低零件發(fā)熱。 查看詳情
- 03-02 2017
- 銀聯(lián)寶電子受邀參加“15屆電源技術(shù)研討會” 2016年9月12日，21IC電子網(wǎng)主辦“15屆電源技術(shù)研討會”。深圳市銀聯(lián)寶電子科技有限公司研發(fā)經(jīng)理林洪斗受邀出席本次談會，本次會議針對電源技術(shù)及方案進行討論，會議現(xiàn)場各抒己見，并對電源技術(shù)新動向給予充分肯定和高度評價。 查看詳情
- 03-02 2017
- 銀聯(lián)寶--搶戰(zhàn)先機，穩(wěn)抓貨源 由于全球終端市場的嬗變和上游半導體市場的動蕩，導致芯片產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)在5月份達到谷底，衰退幅度達到6.2%。面對全球整體需求不足、各國貿(mào)易量持續(xù)萎縮情況下，銀聯(lián)寶電子科技研發(fā)團隊研發(fā)出1-6W、7-9W、10-18W、20-50W系列的開關(guān)電源方案。 查看詳情
- 12-05 2019
- 高頻率開關(guān)電源芯片工作原理 變頻串聯(lián)諧振試驗裝置生產(chǎn)商闡述高頻開關(guān)電源工作原理，電源主要由整流濾波電路，全橋變換電路，ＰＷＭ控制電路，穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流電路，保護電路，以及輔助電源電路等組成。 三相電網(wǎng)（或單相）電壓經(jīng)電源開關(guān)后，進行整流濾波，得到的５２０ＶＤＣ(單相為３００ＶＤＣ)的平滑直流電壓供給逆變電路。三相電壓取一路380VAC（或單相２２０ＶＡＣ）經(jīng)變壓器降壓整流后，再通過三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓得到±15Ｖ電壓供給各部分控制電路。 逆變電路主要由大功率ＩＧＢＴ模塊（或場效應ＭＯＳ 查看詳情
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