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友恩U6515電源芯片方案
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內(nèi)置超高壓功率 BTJ
谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
優(yōu)化的 EMI 性能
CV 模式可編程輸出線壓降補(bǔ)償
SOP-7 封裝
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友恩U6514開關(guān)電源方案芯片
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內(nèi)置超高壓功率 BTJ
谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
優(yōu)化的 EMI 性能
恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%
待機(jī)功耗 <30mW
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非隔離3W開關(guān)電源方案U6110
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過熱保護(hù)(OTP)
VCC欠壓閉鎖(UVLO)
過載保護(hù)(OLP)
短路保護(hù)(SCP)等
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式,無光耦,無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)<75mW。
- [公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐壓下,超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻(85mΩ)僅為傳統(tǒng)器件(200mΩ)的約42%,開關(guān)頻率上限提升至100kHz(傳統(tǒng)為50kHz)。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET,效率提升顯著。今天推薦的電源方案,是來自深圳銀聯(lián)寶科技內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A! 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、
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- [公司新聞]PD20W單壓過認(rèn)證快充電源方案:U8722AH+U7714A2025年07月29日 14:58
- 單壓過認(rèn)證電源指單路電壓輸出(如12V、24V等)且?通過安全認(rèn)證(如CE、UL、3C)的電源產(chǎn)品,可提供單一穩(wěn)定輸出電壓。推薦一款具備多重安全防護(hù)功能的方案——PD20W單壓過認(rèn)證快充電源方案:快充電源芯片U8722AH+同步整流芯片U7714A,結(jié)構(gòu)精簡,成本優(yōu)勢(shì)顯著! 快充電源芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待
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- [公司新聞]PD25W 100Vac-264Vac非標(biāo)款氮化鎵電源方案U8723AH+U7612A2025年07月23日 11:07
- 輸入規(guī)格:100V-264V 50/60Hz 輸出規(guī)格:C 口 PD25W:5V3A / 9V2.78A / 12V2.08A 芯片型號(hào):主控-U8723AH 同步-U7612A 協(xié)議-HUSB338E 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功
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- [公司新聞]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套電源方案可選2025年07月16日 14:21
- 電源芯片方案的成本優(yōu)化可從芯片選型、模塊化設(shè)計(jì)、外圍元件減少等方面實(shí)現(xiàn)。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數(shù)量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn),還有搭配的同步整流芯片介紹! PD快充芯片U8621的啟動(dòng)電流低至10uA,啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M,這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗;芯片靜態(tài)電流低至500uA,使得電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者更加輕松應(yīng)對(duì)能源之星六或者能效六級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)。頻率抖動(dòng)功能U86
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- [公司新聞]帶單點(diǎn)失效保護(hù)的15W電源管理方案U6218C+U77122025年07月07日 14:44
- 芯片單點(diǎn)失效保護(hù)是一種關(guān)鍵的安全設(shè)計(jì)機(jī)制,旨在確保當(dāng)芯片的某一組件發(fā)生故障時(shí),系統(tǒng)不會(huì)完全崩潰或引發(fā)連鎖性失效,而是進(jìn)入預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)。今天推薦的15W電源管理方案,主控芯片就自帶單點(diǎn)失效保護(hù)功能。接下來,一起走進(jìn)U6218C+U7712電源方案組合! 電源管理芯片U6218C集成了單點(diǎn)失效保護(hù),包括FB上拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻短路保護(hù)、輸出二極管或者SR短路、RCS開路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開路等保護(hù)。一旦故障發(fā)生,芯片將進(jìn)入保護(hù)模式
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- [公司新聞]銀聯(lián)寶20W快充電源方案:220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有!2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓:主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)
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- [公司新聞]PD 40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在選型時(shí),需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pin to pin,則無需更改PCB設(shè)計(jì),否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板,替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快,在選型時(shí)就要考慮芯片的可升級(jí)性,為以后的長遠(yuǎn)效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD 40W氮化鎵快充電源方案U8725AHE+U7110W,正被采用替代市面上常見的一些料號(hào),感興趣的小伙伴可以多多了解一下! 氮化鎵快充芯片U8725AHE集成了高壓啟動(dòng)功能。如圖所示,在啟動(dòng)階段,
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- [公司新聞]同步整流芯片U7116W/U7110W快充電源方案參考2025年06月24日 14:57
- 同步整流芯片U711XW系列(U7116W/U7110W)快充電源方案參考: 1.U7116W+U8722DE,可做PD30W快充電源方案;+U8722DH,可做非標(biāo)PD30W方案;+U8722EE,可做到45W; 2.同步整流芯片U7110W+U8722DE,可做PD30W-36W快充電源方案;+U8722EE,可做50W-60W。 同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7
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- [公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介!2025年06月20日 14:39
- 同步整流技術(shù)是一種提高電源效率的技術(shù)。同步整流技術(shù)采用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET管來代替二極管,以降低整流過程中的能量損耗。深圳銀聯(lián)寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案,降耗提效,效果顯著! 同步整流芯片U7610B+U8621,推薦功率22.5W! 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用
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- [公司新聞]PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設(shè)備充電需求,還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備,接口互補(bǔ),場(chǎng)景覆蓋廣,依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W,最大程度簡化設(shè)計(jì)方案,易上手,低成本! 氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式,可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式,從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電
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- [公司新聞]恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A2025年06月05日 11:26
- 在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源icU8608內(nèi)置線損補(bǔ)償功能,根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量,從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。再搭配同步整流icU7613A,就可獲得一個(gè)品質(zhì)可靠、性能高效的恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案! 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源icU8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器
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- [公司新聞]45W單壓單C氮化鎵電源方案:主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE,同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能! 氮化鎵電源芯片U8722EE特性: 集成700V E-GaN 集成高壓啟動(dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護(hù)功能: VDD過壓/欠壓保護(hù) (VDD OV
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- [公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用2025年05月23日 14:22
- 氮化鎵器件開關(guān)頻率升級(jí),同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力,確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗,提升轉(zhuǎn)換效率! 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作,系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置,兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流芯片U7106特性
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- [公司新聞]全電壓!PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案,立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng),PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B方案來咯! 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能
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- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商,大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn),為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案,今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269! 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推薦輸出功率12V2A、12V3A,非標(biāo)共板,方案成熟,性能可靠,可滿足更高性能要求、更低成本需求! 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,最高工作頻率130kHz,有利于降低電源尺寸。特征如下: *原邊反饋控制,無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓啟動(dòng)功能 *
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