-
12V 1A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
-
10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
-
24W系列 12V2A能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
效率滿足 六級(jí)能效
啟動(dòng)電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護(hù)電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
-
18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動(dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
-
65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動(dòng)失敗
效率滿足 六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
-
60W系列 12V5A能效六級(jí)方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75mW
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
啟動(dòng)電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制
-
48W系列 48W能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
-
10W系列5V2A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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5V1.5A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
-
10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作。
輸出過壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
-
12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
- [公司新聞]5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設(shè)備能工作的穩(wěn)定低電壓，確保設(shè)備正常運(yùn)行。除了電腦、手機(jī)、游戲機(jī)，還廣泛配套于安防攝像頭、機(jī)頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設(shè)備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN電源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動(dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5v2a小體積、高效率開關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05
- 在隔離電源設(shè)計(jì)中，同步整流芯片的應(yīng)用顯得尤為重要。隔離電源需要通過變壓器實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離，以確保安全。而在這個(gè)過程中，整流環(huán)節(jié)是不可或缺的。傳統(tǒng)的二極管整流雖然簡單，但效率較低，發(fā)熱嚴(yán)重。同步整流芯片的應(yīng)用，則能顯著提升整流效率，降低發(fā)熱，提高電源的可靠性和穩(wěn)定性。 銀聯(lián)寶同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711C支持Low Side配置，采用輸出直接
- 閱讀（2） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD 20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B方案資料2025年08月08日 10:52
- PD20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B規(guī)格參數(shù)： 1、輸入規(guī)格：90V-264V 50/60Hz 2、輸出規(guī)格：C口 PD20W——5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A 3、芯片型號(hào)：主控——U8722BAS、同步——U7612B、協(xié)議——SDC5433 5493C PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]充電器、適配器能效管理推薦——快充電源芯片U86092025年08月07日 15:02
- 發(fā)電、輸電、儲(chǔ)電和用電的各個(gè)環(huán)節(jié)需要更智能、更高效的能源管理，才能更好實(shí)現(xiàn)降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半導(dǎo)體技術(shù)則是這一鏈條各環(huán)節(jié)的核心所在。GaN技術(shù)的一個(gè)典型應(yīng)用是，提升智能手機(jī)和筆記本電腦的充電器效率和功率密度。在GaN FET驅(qū)動(dòng)市場，有這么一顆廣受關(guān)注的快充電源芯片U8609，推薦給各位小伙伴！ 快充電源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL43
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐壓下，超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻（85mΩ）僅為傳統(tǒng)器件（200mΩ）的約42%，開關(guān)頻率上限提升至100kHz（傳統(tǒng)為50kHz）。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來自深圳銀聯(lián)寶科技內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用高轉(zhuǎn)換效率方案：U8765+U7110W2025年07月30日 14:27
- 設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流icU7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。 1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。 2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測
- 閱讀（10） 標(biāo)簽：
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