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65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿足 六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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60W系列 12V5A能效六級(jí)方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75mW
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
啟動(dòng)電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制
-
10W系列5V2A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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5V1.5A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作。
輸出過壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
- [公司新聞]電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN和高壓?jiǎn)?dòng)電路2025年08月19日 10:52
- 隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將足以擊穿芯片，這無疑對(duì)電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源icU8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。 ■集成Boost供電電路 針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源icU8726AHE集成了Boost供電技
- 閱讀（2） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵電源ic U8732集成恒功率和軟啟動(dòng)功能2025年08月18日 15:03
- 磁芯飽和會(huì)導(dǎo)致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關(guān)電源主變壓器在工作過程中不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵電源icU8732內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST(典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。 氮化鎵電源icU8732主要特征： 1.集成700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔
- 閱讀（2） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]峰值電流控制方式下的電源管理芯片U8621 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化響應(yīng)快速2025年08月15日 10:52
- 峰值電流控制模式與電壓模式控制是開關(guān)電源中兩種核心控制策略。峰值電流控制通過實(shí)時(shí)采樣電感電流峰值，并與電壓誤差信號(hào)比較來調(diào)節(jié)PWM占空比，響應(yīng)速度快，簡(jiǎn)化了補(bǔ)償設(shè)計(jì)，且?guī)烊幌蘖鞅Ｗo(hù)。深圳銀聯(lián)寶科技的U8621，是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_關(guān)變換器，推薦給大家！ 1、系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流 電源管理芯片U8621的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設(shè)備能工作的穩(wěn)定低電壓，確保設(shè)備正常運(yùn)行。除了電腦、手機(jī)、游戲機(jī)，還廣泛配套于安防攝像頭、機(jī)頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設(shè)備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN電源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5v2a小體積、高效率開關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05
- 在隔離電源設(shè)計(jì)中，同步整流芯片的應(yīng)用顯得尤為重要。隔離電源需要通過變壓器實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離，以確保安全。而在這個(gè)過程中，整流環(huán)節(jié)是不可或缺的。傳統(tǒng)的二極管整流雖然簡(jiǎn)單，但效率較低，發(fā)熱嚴(yán)重。同步整流芯片的應(yīng)用，則能顯著提升整流效率，降低發(fā)熱，提高電源的可靠性和穩(wěn)定性。 銀聯(lián)寶同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711C支持Low Side配置，采用輸出直接
- 閱讀（2） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD 20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B方案資料2025年08月08日 10:52
- PD20W全電壓認(rèn)證款U8722BAS+U7612B規(guī)格參數(shù)： 1、輸入規(guī)格：90V-264V 50/60Hz 2、輸出規(guī)格：C口 PD20W——5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A 3、芯片型號(hào)：主控——U8722BAS、同步——U7612B、協(xié)議——SDC5433 5493C PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]充電器、適配器能效管理推薦——快充電源芯片U86092025年08月07日 15:02
- 發(fā)電、輸電、儲(chǔ)電和用電的各個(gè)環(huán)節(jié)需要更智能、更高效的能源管理，才能更好實(shí)現(xiàn)降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半導(dǎo)體技術(shù)則是這一鏈條各環(huán)節(jié)的核心所在。GaN技術(shù)的一個(gè)典型應(yīng)用是，提升智能手機(jī)和筆記本電腦的充電器效率和功率密度。在GaN FET驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，有這么一顆廣受關(guān)注的快充電源芯片U8609，推薦給各位小伙伴！ 快充電源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL43
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]快充電源ic U8722SP滿足智能化、節(jié)能化、多樣化需求2025年08月06日 11:40
- 最近持續(xù)的強(qiáng)對(duì)流天氣藍(lán)色預(yù)警、高溫黃色預(yù)警、暴雨橙色預(yù)警，大家不僅要注意出行安全，居家、工作時(shí)也要注意插座、開關(guān)或正在運(yùn)行的電器安全，防范第一。選購合法合規(guī)的電子產(chǎn)品就是安全第一步。深圳銀聯(lián)寶科技推出的各類適應(yīng)充電器、電源適配器、LED燈電源驅(qū)動(dòng)芯片，六級(jí)能效，過國家認(rèn)證，安全可靠！今天推薦快充電源icU8722SP！ 快充電源ic U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]發(fā)熱低、轉(zhuǎn)換高、體積小的30W快充電源芯片U8723AHS2025年08月04日 11:34
- 快速充電要保證電池的循環(huán)壽命、電池容量、充電安全可靠，方方面面都要表現(xiàn)出色，還要解決過往充電器轉(zhuǎn)換率低、體積大等問題。同時(shí)在充電器的設(shè)計(jì)上體積要更小，發(fā)熱更低，轉(zhuǎn)換效率要更高。推薦一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振快充電源芯片——U8723AHS！ 30W快充電源芯片U8723AHS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。 30W快充電源
- 閱讀（11） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐壓下，超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻（85mΩ）僅為傳統(tǒng)器件（200mΩ）的約42%，開關(guān)頻率上限提升至100kHz（傳統(tǒng)為50kHz）。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來自深圳銀聯(lián)寶科技內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用高轉(zhuǎn)換效率方案：U8765+U7110W2025年07月30日 14:27
- 設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流icU7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。 1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。 2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)
- 閱讀（10） 標(biāo)簽：
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