- [公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用2025年05月23日 14:22
- 氮化鎵器件開關(guān)頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！ 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流芯片U7106特性
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN
- 閱讀（13） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！ 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能
- 閱讀（19） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對充電問題2025年05月21日 14:36
- 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，
- 閱讀（19） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH2025年05月20日 10:24
- CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)功能。此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時(shí)，氮化鎵電源icU8724AH通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟
- 閱讀（14） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí)，該引腳會產(chǎn)生一個(gè)信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時(shí)），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
- 閱讀（0） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗2025年05月15日 14:33
- 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓?fù)?、?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時(shí)因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下
- 閱讀（11） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能
- 閱讀（9） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動 *集成高壓啟動功能 *
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載
- 閱讀（11） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時(shí)，主動降功率功能會啟動，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定
- 閱讀（9） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！ 氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過BOP恢復(fù)
- 閱讀（13） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D
- 閱讀（9） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集
- 閱讀（16） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32
- 恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢發(fā)揮到最大！ 針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電
- 閱讀（11） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極
- 閱讀（16） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin
- 閱讀（12） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優(yōu)越2025年04月27日 14:07
- 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！ 當(dāng)?shù)夒娫磇cU8765結(jié)溫超過TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓啟動管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
- 閱讀（10） 標(biāo)簽：
相關(guān)搜索
熱點(diǎn)聚焦
銀聯(lián)寶--搶戰(zhàn)先機(jī)，穩(wěn)抓貨源
- 由于全球終端市場的嬗變...
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
傳 真：0755-23086550 郵 箱：001@elanpo.com
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)寶安大道4018號華豐國際商務(wù)大廈2501-2508
銀聯(lián)寶手機(jī)
招賢納士
