30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！

■ 集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能

30W氮化鎵電源ic U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8608通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

30W氮化鎵電源ic U8608系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第四檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。

■ 谷底鎖定及降頻工作模式

30W氮化鎵電源ic U8608采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8608采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

氮化鎵電源ic U8608同系列芯片還有推薦功率為24W的U8607、36W的U8609，是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18-65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸！