電源中的設計的器件類型很多，主要有半導體器件如：MOS管，三極管，IC，運放，二極管，光耦等；磁性器件：電感，變壓器，磁珠等；電容：Y電容，X電容，瓷片電容，電解電容，貼片電容等；每種器件都有其規(guī)格，極限參數(shù)。

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例如選取MOS管，耐壓參數(shù)肯定會考慮，額定電流也會考慮，導通電阻我們會考慮，但還有一些寄生參數(shù)以及一些隨溫度變化特 性的參數(shù)卻很少去注意，或者只有在發(fā)現(xiàn)問題的時候才會去找。導通電阻Rds(on)隨溫度升高其阻值是變大的，設計MOS管損耗時要考慮到其工作的環(huán)境溫 度。結電容影響到我們的開通損耗，也會影響到EMC。

例如選取肖特基二極管，耐壓，額定電流一般很好注意，有些參數(shù)例如導通壓降在溫度升高時會減小，反向恢復時間短，不過漏電流大(尤其是考慮到高溫時漏電流影響就更大了)，寄生電感會引起關斷尖峰很高。

例如選取電源芯片，不僅僅要考慮滿足電路性能的要求及可靠性，還要考慮它的體積、重量、延長電池壽命及成本等問題。①采用LDO的佳條件，②需負電源時盡量采用電荷泵，③不要追求高精度、功能全的新器件，④不要“大馬拉小車”

電源芯片主要的三個參數(shù)是，輸入電壓VIN、輸出電壓Vo及大輸出電流Iomax。根據(jù)產品的工作電流來選擇：較合適的是工作電流大值為電源芯片大輸出電流Iomax的70～90%。

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