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小器件、大作用的MOS管五大關鍵點?

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2020-03-13 15:50:30【
1、結構和符號
2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型:制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子,所以即使在VGS=0時,由于正離子的作用,兩個N區(qū)之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
(2)P溝道增強型:VGS = 0時,ID = 0開啟電壓小于零,所以只有當VGS < 0時管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型:制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負離子,所以即使在VGS=0 時,由于負離子的作用,兩個P區(qū)之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
5、場效應管的主要參數
(1) 開啟電壓VT :在VDS為一固定數值時,能產生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強)
(2) 夾斷電壓VP :在VDS為一固定數值時,使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS :在VGS = 0時,管子發(fā)生預夾斷時的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 :漏源電容CDS約為 0.1~1pF,柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1~3pF。
(5) 低頻跨導 gm :表示VGS對iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM

(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS


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