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05-23 2025: 同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用氮化鎵器件開(kāi)關(guān)頻率升級(jí)，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。同步整流芯片U7106特性查看詳情

05-22 2025: 65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN 查看詳情

05-22 2025: 全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能查看詳情

05-21 2025: 氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對(duì)充電問(wèn)題氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋(píng)果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，查看詳情

05-20 2025: 30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能。此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過(guò)連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，氮化鎵電源icU8724AH通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟查看詳情

05-19 2025: 氮化鎵PD快充ic U8608輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí)，該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來(lái)看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過(guò)溫檢測(cè)管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、查看詳情

05-16 2025: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開(kāi)關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)( 查看詳情

05-15 2025: 20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)?、?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時(shí)因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問(wèn)題，延長(zhǎng)器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來(lái)了一定的提升！氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿(mǎn)載和重載工況下查看詳情

05-15 2025: 45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類(lèi)技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E 查看詳情

05-14 2025: 30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731 GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能查看詳情