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06-05 2025: 20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE 充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓?jiǎn)?dòng)、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯(cuò)過(guò)！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成高壓 E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可查看詳情

06-05 2025: 恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A 在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源icU8608內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。再搭配同步整流icU7613A，就可獲得一個(gè)品質(zhì)可靠、性能高效的恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案！深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源icU8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器查看詳情

06-04 2025: 45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W 45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！氮化鎵電源芯片U8722EE特性：集成700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置集成 Boost 供電電路集成完備的保護(hù)功能： VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OV 查看詳情

06-03 2025: 內(nèi)置0.85/650V的超結(jié)硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623 ■功能描述電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8623內(nèi)置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統(tǒng)具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件。 ■系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流查看詳情

05-30 2025: 集成MOS耐壓700V低啟動(dòng)低功耗的PD快充芯片U8722SP 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過(guò)該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過(guò)芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電查看詳情

05-29 2025: 12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節(jié)省光耦和TL431 GaN FET支持MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過(guò)減小無(wú)源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開(kāi)關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源icU8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM，有利于降低電源尺寸！快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS 查看詳情

05-29 2025: ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS 芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過(guò)引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態(tài)。今天，就請(qǐng)跟著銀聯(lián)寶小編的視角，一起看看關(guān)于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳查看詳情

05-28 2025: 22.5W PD快充電源芯片應(yīng)用方案之U8621+U7610B 受限于設(shè)備本身的體積和當(dāng)下電池技術(shù)的瓶頸，電池容量無(wú)法顯著突破，快速“補(bǔ)電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實(shí)可行的解決辦法。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應(yīng)用方案之——U8621+U7610B！快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8621內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8621 查看詳情

05-27 2025: 耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優(yōu)化能源利用效率恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。氮化鎵快充芯片U8733L特征：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩查看詳情

05-26 2025: 氮化鎵快充電源ic U8765全負(fù)載功率范圍內(nèi)效率優(yōu)化 QR模式一般工作在變頻模式下，根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí)，變換器的頻率會(huì)增加，以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過(guò)檢測(cè)原邊電流和電壓的變化，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的最佳開(kāi)通時(shí)機(jī)，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界查看詳情