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04-25 2025: 20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管查看詳情

04-24 2025: 具有雙LDO供電配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開(kāi)通。 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)同步整流icU 查看詳情

04-24 2025: 25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2 查看詳情

04-23 2025: 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過(guò)芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以查看詳情

04-22 2025: 銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝查看詳情

04-21 2025: 700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束查看詳情

04-18 2025: 12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢查看詳情

04-17 2025: 充電器ic U7576滿足快速啟動(dòng)和低待機(jī)應(yīng)用需求深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過(guò)HV高壓引腳實(shí)時(shí)檢測(cè)交流輸入狀態(tài)，市電斷開(kāi)時(shí)觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問(wèn)題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！充電器icU7576主要特點(diǎn)： 1.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測(cè)與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機(jī)功查看詳情

04-17 2025: 電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開(kāi)關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時(shí)提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓?jiǎn)?dòng)電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個(gè)500V高壓?jiǎn)?dòng)單元。在開(kāi)機(jī)過(guò)程中該啟動(dòng)單元開(kāi)始工作，從Drain端取電并通過(guò)高壓電流源對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至查看詳情

04-16 2025: 帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流芯片U7269 同步整流芯片U7269具有雙LDO供電。圖1展示了低端配置的典型系統(tǒng)架構(gòu)，這種供電方式的優(yōu)點(diǎn)在于其支持的輸出電壓范圍廣，即使輸出電壓降低到0V SR也能正常工作。同步整流芯片U7269亦支持高端應(yīng)用，有兩類配置方式。圖2中Vo引腳直接和HV引腳相連，此時(shí)VDD電壓會(huì)穩(wěn)定在9V左右。圖3中Vo引腳和GND引腳相連，此時(shí)VDD電壓穩(wěn)定在6V左右。同步整流芯片U7269主要特點(diǎn)：支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位（AC 查看詳情