- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中，其價值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]電源芯片U6101S穩(wěn)流電源高效率低損耗2024年12月17日 16:28
- 恒流電源也叫穩(wěn)流電源，是指將穩(wěn)定的電壓源加在固定的電阻的兩端，使流過電阻的電流一定是恒定的設備。對于負載的阻抗有較大的變化，而要求負載電流基本不變的設備，則必須采用穩(wěn)流電源。電源芯片U6101S是外驅(qū)副邊內(nèi)置恒流芯片，高效率、外圍簡單，適用于85-265V輸入的恒壓恒流開關。 電源芯片U6101S輸出規(guī)格可選擇5V-12A/1A和12V-5A/1A，自帶恒流，適用于快充充電器，如QC 2.0快充、QC3.0快充等，還可以應用于大功率的機頂盒、監(jiān)控器、筆記本電腦、液晶顯示器等電
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- [公司新聞]集成高壓啟動電路氮化鎵快充芯片U8722AH2024年12月03日 14:07
- 采用氮化鎵技術的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術可使功率系統(tǒng)設計者達到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW 的超低待機功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設備的處理速度，提升用戶體驗，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱量，還可能會對設備的穩(wěn)定性和壽命造成不良影響。因此，在設計芯片時，需要在提升工作頻率與降低功耗和發(fā)熱量之間找到一個平衡點。深圳銀聯(lián)寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時，最高頻率限制130kHz，一起詳細了解下。 氮化鎵快充芯片U8723AH復用CS管腳以設定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接詳見規(guī)格書。芯片啟動
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766滿足寬輸出電壓應用場合需求2024年11月15日 15:03
- 具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發(fā)時間，還能獲得更優(yōu)化的充電體驗。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設計。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時
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- [公司新聞]采用PD快充ic U8733 充電效率得以大幅提升2024年11月07日 10:28
- 自從幾個頭部手機廠商不標配充電器后，PD快充開始在市面上活躍起來，手機品牌也不斷更新迭代各自的快充產(chǎn)品，PD快充用量持續(xù)激增，特別是20W、30W、45W、65W，甚至100W等中大功率快充產(chǎn)品逐漸走進消費者的視野。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充icU8733推薦輸出功率30W，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關，效率更是驚艷！ PD快充ic U8733采用峰值電流抖動的方式實現(xiàn)進一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動幅值最大為±8%。芯片根據(jù)輸
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- [公司新聞]外驅(qū)副邊內(nèi)置恒流電源芯片U6101S性能敘述2024年11月01日 14:44
- 恒流電源也叫穩(wěn)流電源，是指將穩(wěn)定的電壓源加在固定的電阻的兩端，使流過電阻的電流一定是恒定的設備。對于負載的阻抗有較大的變化，而要求負載電流基本不變的設備，則必須采用穩(wěn)流電源。電源芯片U6101S是外驅(qū)副邊內(nèi)置恒流芯片，高效率、外圍簡單，適用于85-265V輸入的恒壓恒流開關。 電源芯片U6101S輸出規(guī)格可選擇5V-12A/1A和12V-5A/1A，自帶恒流，適用于快充充電器，如QC 2.0快充、QC3.0快充等，還可以應用于大功率的機頂盒、監(jiān)控器、筆記本電腦、液晶顯示器等電
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- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開關頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無源器件的尺寸，從而實現(xiàn)更平滑的電機驅(qū)動GaN設計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。 ■集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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- [公司新聞]小于30mW超低待機功耗氮化鎵快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。 氮化鎵快充芯片U8765主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖
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- [公司新聞]集成高壓供電電路快充同步整流ic U77152024年10月18日 14:42
- 集成度的提高和微電子制造技術的進步使得同步整流ic在保持甚至提升性能的同時，體積也在不斷縮小，這為各種緊湊型電源設計提供了更多可能。另外，智能控制技術的應用，如基于AI的負載適應技術，將使同步整流ic能夠根據(jù)負載的實時變化動態(tài)調(diào)整工作狀態(tài)，進一步提升了系統(tǒng)的整體效率和適應性。 深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7715，是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7715內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上
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- [公司新聞]20W氮化鎵快充芯片首選方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化鎵技術的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術可使功率系統(tǒng)設計者達到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW 的超低待機功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]PD快充芯片U8724AH集成實現(xiàn)更高效的電源系統(tǒng)管理2024年09月26日 10:48
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題。在許多應用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關PD快充芯片U8724AH，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應用場景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適
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- [公司新聞]30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化鎵等新型材料的加持，近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設備的充電效率，而且在體積、散熱等方面也有十分不錯的表現(xiàn)，加上技術的不斷完善和升級，氮化鎵充電器價格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質(zhì)量好，可以幫你緩解充電器成本焦慮。 30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值
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- [公司新聞]33W快充電源方案U8733+U7612B解析2024年09月09日 14:42
- 深圳銀聯(lián)寶科技是一家專注電源應用方案芯片設計及生產(chǎn)商，針對中小電源廠細分市場提供電源DEMO設計整套方案，根據(jù)客戶需求開發(fā)優(yōu)化的電源方案、定制方案。最新推出的33W快充電源方案U8733+U7612B，效率高，整體兼容性強，一起來了解下！ 快充電源芯片U8733是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U8733的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模
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- [公司新聞]60V MOSFET PD快充應用同步整流ic U7612B2024年09月05日 10:09
- 同步整流技術采用導阻更低的MOSFET來替代傳統(tǒng)的肖特基二極管，從而大幅降低了整流電路的損耗。不僅提高了電源的整體效率，還滿足了當今高功率快充技術對于體積方面的嚴苛要求。深圳銀聯(lián)寶科技的這一款PD快充應用同步整流icU7612B，帶快速關斷功能，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流icU7612B主要特點： ●內(nèi)置 60V
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- [公司新聞]快充電源ic U8820支持8-40V VDD供電2024年08月29日 14:21
- 當5G+人工智能物聯(lián)網(wǎng)時代真的來臨時，無法想象每天會有多少數(shù)據(jù)進行實時傳輸，會帶來多少的功耗，充電將成為常態(tài)。而智能快充快速發(fā)展，幾乎滲透到了各個電子設備中。深圳銀聯(lián)寶科技的快充電源icU8820是一款針對離線式反激變換器的高性能準諧振電流模式PWM轉(zhuǎn)換芯片。芯片集成有高壓啟動電路，可以獲得快速啟動和超低待機的性能，支持8-40V的VDD供電，方便滿足PD電源的寬電壓輸出要求。 快充電源icU8820采用谷底導通模式，通過采樣輔助繞組，并設定固定延遲的方式使系統(tǒng)在谷底附近導通
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- [公司新聞]攜手快充芯片U8723AH一起進入GaN賽道2024年08月16日 15:09
- 智能快充技術的飛速發(fā)展和市場的爆火背后其實都少不了GaN的支撐，GaN等第三代功率半導體技術的日益成熟已逐漸成為行業(yè)內(nèi)的技術發(fā)展重點。受其影響，目前市場上的智能快充大都在往小型化、大功率化發(fā)展，用戶的需求也正往多口化方向發(fā)展。深圳銀聯(lián)寶科技接連推出多款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關快充芯片，市場反饋頗佳！ 快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于
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- [公司新聞]快充芯片U8722XAS集成輕載SR應力優(yōu)化功能2024年08月14日 14:49
- 快充芯片U8722XAS產(chǎn)品型號分別為U8722BAS、U8722CAS、U8722DAS，推薦最大輸出功率對應為25W、30W、35W，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。訂購信息如下： 快充芯片U8722XAS主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8733高壓啟動機制確保運行穩(wěn)定2024年08月06日 10:46
- 在傳統(tǒng)電力電子設備中，低壓啟動常常導致設備性能不穩(wěn)定，甚至損壞器件。而集成700V的氮化鎵快充芯片U8733，通過其高效的高壓啟動機制，輕松解決了這一難題。這種設計不僅能確保設備在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行，還能有效提高系統(tǒng)的整體效率，為用戶帶來更加可靠的使用體驗。 氮化鎵快充芯片U8733主要特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成 EMI 優(yōu)化技術 驅(qū)動電
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- [公司新聞]GaN快充電源芯片U8607有利降低電源尺寸2024年07月30日 10:39
- 在GaN快充問世的前兩年，許多人還處在觀望狀態(tài)，然而再經(jīng)過兩年之后，GaN在快充上的應用已經(jīng)愈發(fā)成熟，并席卷快充市場。GaN等第三代半導體的出現(xiàn)，為各相關領域帶來了突破性的進展。伴隨其在5G通信基站和消費電子業(yè)務的確定性增長，待技術進一步更新之后，GaN將在未來幾年內(nèi)在高功率電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領域大范圍應用。如果您還在猶豫，不妨先了解下深圳銀聯(lián)寶科技集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率快充電源芯片U8607！ 快充電源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流P
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