在GaN快充問世的前兩年，許多人還處在觀望狀態(tài)，然而再經(jīng)過兩年之后，GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟，并席卷快充市場(chǎng)。GaN等第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn)，為各相關(guān)領(lǐng)域帶來了突破性的進(jìn)展。伴隨其在5G通信基站和消費(fèi)電子業(yè)務(wù)的確定性增長(zhǎng)，待技術(shù)進(jìn)一步更新之后，GaN將在未來幾年內(nèi)在高功率電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域大范圍應(yīng)用。如果您還在猶豫，不妨先了解下深圳銀聯(lián)寶科技集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率快充電源芯片U8607！

快充電源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

快充電源芯片U8607主要特征：

1、原邊反饋控制，無需光耦和 TL431

2、集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng)

3、集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

4、谷底鎖定 QR 模式

5、最高工作頻率 130kHz

6、外置環(huán)路補(bǔ)償

7、驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

8、內(nèi)置線損補(bǔ)償

9、集成完善的保護(hù)功能：

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過壓保護(hù) (FB OVP)

輸入欠壓保護(hù) (Line BOP)

輸出過壓保護(hù) (Line OVP)

過溫保護(hù) (OTP)

VDD 過欠壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

10、封裝形式 ASOP7-T4

快充電源芯片U8607集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8607采用了谷底鎖定工作模式，在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

GaN的出現(xiàn)，也影響著電感變壓器等充電器中元器件的應(yīng)用。通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。然而快充充電器比我們?cè)O(shè)想的要小、要薄。因?yàn)榕c普通半導(dǎo)體的硅材料相比，GaN的帶隙更寬且導(dǎo)熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感。尤其是變壓器，它的形狀很大程度上決定了充電器外觀的設(shè)計(jì)。趨勢(shì)不可擋，想要了解更多GaN快充電源芯片，就找深圳銀聯(lián)寶！