成人精品视频一区二区,亚洲AV色香蕉一区二区

當(dāng)前位置：首頁(yè) » 全站搜索 » 搜索：mos

: 原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5938S

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
更多 +

: 原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6773V

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
更多 +

: 副邊50W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5773

品牌：銀聯(lián)寶電子
型號(hào)：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
更多 +

: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5539H

效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
更多 +

: 18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
更多 +

: 10W系列5V2A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
更多 +

: 10W系列 5V2A能效六級(jí)方案

±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作。
輸出過(guò)壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
更多 +

: 12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
更多 +

[公司新聞]5v2a小體積、高效率開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05: 在隔離電源設(shè)計(jì)中，同步整流芯片的應(yīng)用顯得尤為重要。隔離電源需要通過(guò)變壓器實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離，以確保安全。而在這個(gè)過(guò)程中，整流環(huán)節(jié)是不可或缺的。傳統(tǒng)的二極管整流雖然簡(jiǎn)單，但效率較低，發(fā)熱嚴(yán)重。同步整流芯片的應(yīng)用，則能顯著提升整流效率，降低發(fā)熱，提高電源的可靠性和穩(wěn)定性。銀聯(lián)寶同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711C支持Low Side配置，采用輸出直接; 閱讀（2）標(biāo)簽：

[公司新聞]多模式高性能準(zhǔn)諧振式原邊控制快充電源芯片U6218C2025年08月13日 15:11: 快速充電器的原邊(初級(jí))調(diào)節(jié)的反饋信號(hào)不是直接取自于輸出電壓，而是取自于和輸出電壓保持一定比例關(guān)系的輔助繞組或原邊初級(jí)主繞組，不需要隔離光耦，布局簡(jiǎn)單，成本低。快充電源芯片U6218C是一款高性能準(zhǔn)諧振式原邊控制功率開(kāi)關(guān)，尤其適合于充電器應(yīng)用。在滿載輸出條件下，U6218C在全部輸入電壓范圍內(nèi)均工作在準(zhǔn)諧振模式，以此獲得優(yōu)異的效率和溫升性能。快充電源芯片U6218C特征： 1.集成功率MOSFET 2.高效率準(zhǔn)諧振式原邊控制 3.高精度恒壓、恒流輸出 4.待機(jī)功耗75mW; 閱讀（3）標(biāo)簽：

[公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21: 在相同650V耐壓下，超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻（85mΩ）僅為傳統(tǒng)器件（200mΩ）的約42%，開(kāi)關(guān)頻率上限提升至100kHz（傳統(tǒng)為50kHz）。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]抗干擾、極簡(jiǎn)外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55: 夏天來(lái)了，小風(fēng)扇成了我們手中的避暑神器。在各大購(gòu)物平臺(tái)，迷你小風(fēng)扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風(fēng)扇的電源配件銷(xiāo)量也在猛增。如果你正在找尋一顆優(yōu)質(zhì)的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8623在一定條件下適用于; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39: 同步整流技術(shù)是一種提高電源效率的技術(shù)。同步整流技術(shù)采用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET管來(lái)代替二極管，以降低整流過(guò)程中的能量損耗。深圳銀聯(lián)寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U771XC系列型號(hào)包含：U7710SMC、U7710C、U7711C2025年06月10日 10:33: 典型應(yīng)用在反激變換器、充電器領(lǐng)域的高性能同步整流芯片U771XC系列，包含了U7710SMC、U7710C、U7711C這三個(gè)型號(hào)，主要差異表現(xiàn)在內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通阻抗不同，分別為U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?，主要性能一起了解下！ ■產(chǎn)品描述同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U771XC支持Low Side配置，; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]內(nèi)置0.85/650V的超結(jié)硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U86232025年06月03日 11:38: ■功能描述電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8623內(nèi)置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統(tǒng)具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件。 ■系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動(dòng)低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16: 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過(guò)該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過(guò)芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應(yīng)用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28: 受限于設(shè)備本身的體積和當(dāng)下電池技術(shù)的瓶頸，電池容量無(wú)法顯著突破，快速“補(bǔ)電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實(shí)可行的解決辦法。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應(yīng)用方案之——U8621+U7610B！快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8621內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8621; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24: E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49: 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來(lái)咯！2025年04月29日 11:14: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極; 閱讀（16）標(biāo)簽：

記錄總數(shù)：1060 | 頁(yè)數(shù)：53 首頁(yè) 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...> 下一頁(yè) 尾頁(yè)

熱點(diǎn)聚焦

銀聯(lián)寶--搶?xiě)?zhàn)先機(jī)，穩(wěn)抓貨源: 由于全球終端市場(chǎng)的嬗變...

欧美亚洲日产综合新一区,普通话Jizzyou中国少妇,在线亚洲+欧美+日本专区,亚洲AV日韩综合一区二区三区

原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5938S

原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6773V

副邊50W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5773

副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5539H

18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案

10W系列5V2A能效六級(jí)方案

10W系列 5V2A能效六級(jí)方案

12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案

相關(guān)搜索

熱點(diǎn)聚焦