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[公司新聞]具有雙LDO供電配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29: 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開通檢測(cè)功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)同步整流icU; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動(dòng)和低待機(jī)應(yīng)用需求2025年04月17日 14:15: 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過(guò)HV高壓引腳實(shí)時(shí)檢測(cè)交流輸入狀態(tài)，市電斷開時(shí)觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問(wèn)題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！充電器icU7576主要特點(diǎn)： 1.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測(cè)與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機(jī)功; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率2025年04月17日 10:55: 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時(shí)提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓?jiǎn)?dòng)電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個(gè)500V高壓?jiǎn)?dòng)單元。在開機(jī)過(guò)程中該啟動(dòng)單元開始工作，從Drain端取電并通過(guò)高壓電流源對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W2025年04月10日 11:19: 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]無(wú)需輔助繞組的電流過(guò)零檢測(cè)電源芯片U61132025年03月31日 10:48: 無(wú)需輔助繞組的電流過(guò)零檢測(cè)技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準(zhǔn)諧振模式降低開關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)等多重安全機(jī)制。總的來(lái)說(shuō)，可顯著簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，同時(shí)滿足高精度、高可靠性的應(yīng)用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源ic U5402內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護(hù)功能增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性2025年03月28日 10:02: 電源icU5402通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)雙通道輸入的信號(hào)互鎖，確保高低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)無(wú)法同時(shí)導(dǎo)通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導(dǎo)致短路損壞。U5402具有完善保護(hù)功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時(shí)，輸出保持低電平。內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護(hù)功能，可防止高低側(cè)驅(qū)動(dòng)同時(shí)打開，同時(shí)具有高側(cè)和低側(cè) UVLO 保護(hù)，系統(tǒng)可靠性強(qiáng)。電源icU5402典型應(yīng)用： ▲功率 MOSFET / IGBT 驅(qū)動(dòng)器 ▲電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，家電 ▲照明, LED 電源 ▲感應(yīng)加熱 ▲DC-AC; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]“芯”產(chǎn)品開箱——12v1a充電器芯片U6203D2025年03月21日 14:55: 華為手機(jī)新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機(jī)，折疊起來(lái)，就變成小手機(jī)，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴(kuò)屏使用，橫過(guò)來(lái)用就像平板一樣體驗(yàn)。這款新品為折疊屏手機(jī)的發(fā)展打開了新思路，或許會(huì)為未來(lái)的手機(jī)和手機(jī)配件市場(chǎng)注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的手機(jī)充電器芯片，誠(chéng)意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)，內(nèi)置4A高壓MOS，適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗、低成本離線; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45: 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求，簡(jiǎn)化了電路布局！在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果2025年03月13日 14:52: 芯片在實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和傳輸?shù)裙δ艿倪^(guò)程中，會(huì)伴隨電阻、電容、電感等能量損耗，這些損耗會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能，因此會(huì)產(chǎn)生大量熱量。過(guò)高的溫度會(huì)影響電子設(shè)備工作性能，甚至導(dǎo)致電子設(shè)備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝，并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果，從而提高了散熱效率，積極保護(hù)電子設(shè)備。電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]實(shí)時(shí)評(píng)測(cè)皆好評(píng)的充電器芯片SF1538DP2025年03月03日 15:30: 隨著消費(fèi)者對(duì)手機(jī)攝影要求的不斷提高，傳感器尺寸的進(jìn)一步增加成為廠商們探索的方向，對(duì)手機(jī)的內(nèi)部空間提出了不小的挑戰(zhàn)。而手機(jī)充電器的內(nèi)部空間，可以選擇深圳銀聯(lián)寶開發(fā)的充電器芯片，體積小效率高，讓總體設(shè)計(jì)更為靈活，或許是個(gè)不錯(cuò)的解決方案。今天推薦的是SF1538DP！充電器芯片SF1538DP封裝形式DIP-8，內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V；可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP，專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗；內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)，管腳浮空保; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關(guān)斷損耗2025年02月27日 11:11: 同步整流芯片會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電路中的相關(guān)參數(shù)，比如電壓、電流等信號(hào)。一旦檢測(cè)到滿足開通或者需要關(guān)斷的條件，芯片內(nèi)部的控制電路會(huì)生成一個(gè)驅(qū)動(dòng)或者關(guān)斷信號(hào)，以確保電路的正常運(yùn)行，減少損耗。同步整流芯片在開通和關(guān)斷階段的精確控制，對(duì)于提高開關(guān)電源的效率和性能起著至關(guān)重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的！變壓器副邊續(xù)流階段開始時(shí)，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(-500; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性2025年02月20日 10:08: 在全負(fù)載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時(shí)，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以體現(xiàn)，滿足了六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，有效避免了能源的無(wú)謂消耗，對(duì)于電子設(shè)備的應(yīng)用而言，是非常值得推薦的一顆芯片！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8621在一; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應(yīng)用主控2025年02月17日 14:48: 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過(guò)電磁兼容性測(cè)試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。主要特征有： ●內(nèi)置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W、22.5W、30W氮化鎵電源芯片方案介紹2025年02月07日 11:24: 今天給各位小伙伴介紹幾款氮化鎵電源芯片方案！ ■20W氮化鎵電源芯片方案U8621+U7610C 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內(nèi)的離線式反激開關(guān)變換器，滿足VI級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。U8621采用SOP8并采用單邊漏極并聯(lián)封; 閱讀（34）標(biāo)簽：

[公司新聞]開關(guān)電源芯片U8623解鎖超結(jié)硅功率MOS管理新境界2025年01月17日 15:05: 超結(jié)硅功率MOS在開關(guān)電源芯片U8623中對(duì)降低EMI（電磁干擾）干擾、增強(qiáng)EMS（電磁抗擾度）抗干擾能力起到了重要作用。在開關(guān)電源工作時(shí)，超結(jié)硅功率MOS的快速開關(guān)特性，配合U8623內(nèi)置的抖頻技術(shù)，優(yōu)化了EMI性能。其能夠?qū)㈦姶鸥蓴_的能量分散到更寬的頻帶上，從而降低了在特定頻率上的干擾強(qiáng)度，減少了對(duì)周邊電子設(shè)備的影響。例如，在手機(jī)充電器中，如果EMI干擾過(guò)大，可能會(huì)對(duì)手機(jī)的信號(hào)接收、通話質(zhì)量等產(chǎn)生不良影響。而采用了該超結(jié)硅功率MOS的U8623，能有效降低這種干擾，確保充; 閱讀（31）標(biāo)簽：

[公司新聞]LED照明驅(qū)動(dòng)電源管理ic U6113力求更強(qiáng)、更高效2025年01月17日 14:31: 就手機(jī)品類而言，創(chuàng)新則主要向著高端化方向發(fā)展，同時(shí)有力地拉動(dòng)了換機(jī)需求。深圳銀聯(lián)寶科技電源管理ic一直在創(chuàng)新求變的路上探索，力求更強(qiáng)、更高效。銀聯(lián)寶電源管理icU6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)芯片，性能更強(qiáng)、更高效！電源管理icU6113主要特性： * 內(nèi)部集成 550V 高壓 MOSFET * ±4% 恒流精度 * 超低 VDD 工作電流 * 準(zhǔn)諧振工作模式提高系統(tǒng)效率 * 無(wú)需輔助繞組 * 集成式高壓; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]同時(shí)具備高側(cè)和低側(cè)UVLO保護(hù)能力的電源管理ic U54022025年01月10日 14:53: 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以根據(jù)外部控制信號(hào)，精確地控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。這使得電機(jī)可以在不同的工作條件下，實(shí)現(xiàn)最佳的運(yùn)行效率。還可以根據(jù)負(fù)載的變化，自動(dòng)調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)矩。這有助于提高電機(jī)的運(yùn)行穩(wěn)定性，減少能耗和噪音。今天推薦的電源管理icU5402，常常在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用發(fā)揮高效作用，不可錯(cuò)過(guò)！電源管理ic U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETs或IGBTs。U5402采用必易微高壓器件工藝技術(shù)，具有良好的電流輸出及出色的抗瞬; 閱讀（24）標(biāo)簽：

[公司新聞]帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列2025年01月06日 11:38: 帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4，具體腳位如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6 GND P 芯片參考地 7 DRAI; 閱讀（24）標(biāo)簽：

[公司新聞]內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率開關(guān)電源芯片U86212025年01月03日 10:14: 超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，突破了傳統(tǒng)硅極限，超結(jié)MOSFET中的電荷平衡特性，能夠設(shè)計(jì)更薄、摻雜更多的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，提高效率。深圳銀聯(lián)寶內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS開關(guān)電源芯片U8621，在175V--264Vac推薦22.5W，85V-264Vac推薦18W，一起了解下！開關(guān)電源芯片U8621擁有自適應(yīng)工作模式，根據(jù)FB腳電; 閱讀（24）標(biāo)簽：

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