欧美亚洲日产综合新一区,普通话Jizzyou中国少妇,在线亚洲+欧美+日本专区,亚洲AV日韩综合一区二区三区

在線留言 收藏本站 網站地圖 133-1680-5165您好!歡迎來到深圳市銀聯(lián)寶電子科技有限公司官方網站!

熱門關鍵詞: 開關電源芯片PD協(xié)議芯片電源管理芯片電源ICled驅動芯片led驅動ic無Y電源銀聯(lián)寶電子深圳市銀聯(lián)寶電子銀聯(lián)寶電子有限公司

當前位置首頁 » 公司新聞 » 同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關斷損耗

同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關斷損耗

返回列表 來源: 查看手機網址
掃一掃!同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關斷損耗掃一掃!
瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-02-27 11:11:21【

同步整流芯片會實時監(jiān)測電路中的相關參數,比如電壓、電流等信號。一旦檢測到滿足開通或者需要關斷的條件,芯片內部的控制電路會生成一個驅動或者關斷信號,以確保電路的正常運行,減少損耗。同步整流芯片在開通和關斷階段的精確控制,對于提高開關電源的效率和性能起著至關重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的!

U7110W

變壓器副邊續(xù)流階段開始時同步整流內置MOSFET的溝道處于關閉狀態(tài),副邊電流IsMOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流,同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流芯片U7110W內置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on (典型值-220mV),經過開通延遲Td_on (典型值 25ns),內置MOSFET的溝道開通。

在同步整流內置MOSFET導通期間,同步整流芯片U7110W采樣MOSFET-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off (典型值 0mV)經過關斷延遲Td_off (典型值 22ns),內置MOSFET的溝道關斷。

VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前,同步整流芯片U7110W處于關機狀態(tài)。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后,芯片啟動,內部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后,芯片關機,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

同步整流芯片U7110W的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力,可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。

選擇高頻率、高性能、CCM同步整流芯片,加上合理設計和優(yōu)化芯片的控制策略,可以進一步降低損耗,提升電源的整體性能。深圳銀聯(lián)寶科技推出的多款同步整流芯片,搭配對應的主控芯片,形成了多套成熟高效的電源方案,硬核實力,不容小覷!

推薦閱讀

    【本文標簽】:同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關斷損耗
    【責任編輯】:銀聯(lián)寶版權所有:http://www.32t53.cn轉載請注明出處
    招賢納士