充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動(dòng)、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯(cuò)過！

PD快充芯片U8725AHE主要特性：

1. 集成 高壓 E-GaN

2. 集成高壓啟動(dòng)功能

3. 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(hù) (DEM OVP/UVP)

輸入過壓/欠壓保護(hù) (LOVP /BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

9. 封裝類型 ESOP-7

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boost電路啟動(dòng)工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10.1V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí)，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

PD快充芯片U8725AHE引腳說明：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動(dòng)供電管腳

深圳銀聯(lián)寶科技這款20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，通過高集成設(shè)計(jì)、動(dòng)態(tài)功率穩(wěn)定、谷底鎖定及降頻工作模式等高效能表現(xiàn)，顯著優(yōu)化了系統(tǒng)體積、可靠性和能效，成為快充設(shè)備電源芯片方案的理想選擇！