24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

電源芯片U8607主要特性：

● 原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431

● 集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng)

● 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

● 谷底鎖定 QR 模式

● 最高工作頻率 130kHz

● 外置環(huán)路補(bǔ)償

● 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

● 內(nèi)置線損補(bǔ)償

● 集成完善的保護(hù)功能

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過(guò)壓保護(hù) (FB OVP)

輸入欠壓保護(hù) (Line BOP)

輸出過(guò)壓保護(hù) (Line OVP)

過(guò)溫保護(hù) (OTP)

VDD 過(guò)欠壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

● 封裝形式 ASOP7-T4

電源芯片U8607引腳說(shuō)明：

1 NTC I/O 外置過(guò)溫檢測(cè)管腳

2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。

3 FB I/O 輸出反饋、消磁檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 CS I/O 電流采樣輸入管腳、最高頻率選擇管腳

6 GND P 芯片參考地

7 Drain P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

電源芯片U8607集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。U8607內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。