快充和閃充只有1字之差，兩者有什么區(qū)別呢？閃充技術它采用了低高壓電流的形式，提升了手機的充電速度。而快充技術恰恰相反，采用了高低壓的電流，通過提升充電的電壓，最終提升手機的充電速率，從而縮短手機的充電時間，絕大多數(shù)的手機都采用了快充技術，這一技術相當普及，在充電速度上得到了明顯的提升。今天要推薦給大家的，就是一款常見的PD快充ic U6615！

PD快充ic U6615結合了一個專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，可以縮短充電時間，為手機迅速補充電量。U6615低待機功率低功耗、低電磁兼容性和低成本。適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。U6615集成有多種保護功能：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 過壓保護 (OVP)、逐周期限流保護 (OCP)、短路保護 (SLP) 和 VDD箝位等。輸出規(guī)格為5、9、12-18W，應用于PD/QC市場，VDD-40V max18W。

PD快充ic U6615主要特點：

▲ 集成 650V MOSFET

▲ ±4% 恒流、恒壓精度

▲ 待機功耗<70mW

▲ 多模式原邊控制方式

▲ 工作無異音

▲ 優(yōu)化的動態(tài)響應

▲ 可調式線損補償

▲ 集成線電壓和負載電壓的恒流補償

▲ 集成完善的保護功能

PD快充ic U6615采用SOP-8封裝，還可以替代凌拓微的18W非標電源方案芯片LT3509，引腳特征如下：

1 腳GND 芯片參考地。

2 腳VDD 芯片供電管腳。

3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了PWM驅動信號的占空比和CS管腳的關斷電壓。

4 腳CS 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

其實快充和閃充，在原理上并沒有實質性的區(qū)別，兩者都是為了充滿一塊等容的電池，只要功率大充電速度就會更快，從而耗費的時間有所縮短。快充和閃充技術的推出就是為了給用戶帶來更好的體驗，提升手機的充電速率。再搭配深圳銀聯(lián)寶科技的這顆PD快充ic U6615，更加給力！