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PD快充芯片U8722BH高效安全實(shí)現(xiàn)快速充電

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-07-24 10:39:45【

快充的核心使命是實(shí)現(xiàn)快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設(shè)計(jì),旨在顯著縮短手機(jī)、平板等設(shè)備的充電時(shí)間。快充線必須內(nèi)置專用芯片或通過特定物理結(jié)構(gòu),以識(shí)別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),特別適應(yīng)于快速充電器及適配器上!

PD快充芯片U8722BH特性:

 集成700V E-GaN

 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

 超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗<30mW

 谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

 集成EMI優(yōu)化技術(shù)

 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

 集成Boost供電電路

 集成完備的保護(hù)功能:

VDD過壓/欠壓保(VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù)(OVP)

輸入欠壓保護(hù)(BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過流保護(hù)(AOCP)

短路保護(hù)(SCP)

過載保護(hù)(OLP)

過流保護(hù)(SOCP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護(hù)

 封裝類型HSOP-7

PD快充芯片U8722BH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8722BH通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如表所示,通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。不同驅(qū)動(dòng)電流檔位的DEM電阻推薦值參考表(以20V為例)。


快充因承載更大功率,對(duì)質(zhì)量、做工、散熱要求極高。選擇正規(guī)廠家出品的PD快充芯片,可以有效保障充電器的效率、安全!深圳銀聯(lián)寶科技PD快充芯片通過嚴(yán)格的安全認(rèn)證,六級(jí)能效,綠色環(huán)保,值得信賴!

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