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支持寬范圍輸出電壓應用的同步整流芯片U7612

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-11-14 15:18:59【

任何好的轉變都需要付出代價,同步整流電路也不例外,如何精準控制MOS管的開關成了同步整流的難點。選擇一款優(yōu)質可靠的同步整流芯片,不僅能有效提高了電路的轉換效率,還可以降低設計成本。推薦銀聯(lián)寶同步整流芯片U7612!

同步整流芯片U7612快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力,可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關誤開通。

同步整流芯片U7612PCB設計建議:

1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容,盡量緊靠IC,Loop2的面積盡可能小。

3) HV Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻,推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響,HV檢測點離Drain引腳越遠,CCM應力越小。High Side配置中,建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4) R1C1構成同步整流開關的RC吸收電路,RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5) Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6) SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同,芯片切筋后,框架金屬有少量暴露,考慮到絕緣要求,外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前,同步整流芯片U7612處于關機狀態(tài)。內部Gate 智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后,芯片啟動,內部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后,芯片關機,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

同步整流芯片U7612主要特點:

1) 內置 60V MOSFET

2) 支持 DCMQR CCM 工作模式

3) 集成高壓供電電路,無需 VDD 輔助繞組供電

4) 支持寬范圍輸出電壓應用,特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領域

5) 支持 High Side Low Side 配置

6) <30ns 開通和關斷延時

7) 智能開通檢測功能防止誤開通

8) 智能過零檢測功能

9) 啟動前 Gate 智能鉗位

10) 封裝類型 SOP-8

深圳銀聯(lián)寶科技的這款同步整流芯片U7612,是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關,可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。支持寬范圍輸出電壓應用,特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領域,可靠性高,可控性好,被市場一致看好!

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