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熱門(mén)關(guān)鍵詞: 開(kāi)關(guān)電源芯片PD協(xié)議芯片電源管理芯片電源ICled驅(qū)動(dòng)芯片led驅(qū)動(dòng)ic無(wú)Y電源銀聯(lián)寶電子深圳市銀聯(lián)寶電子銀聯(lián)寶電子有限公司

03-20 2025
65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766,擁有超低啟動(dòng)和工作電流,可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗,勢(shì)如破竹! 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的 查看詳情
03-20 2025
高效、安全管理電能轉(zhuǎn)換的手機(jī)充電器芯片U6107D 充電器芯片的核心是高效、安全的管理電能轉(zhuǎn)換與電池充電過(guò)程。充電器芯片U6107D是一種高性能的電流模式PWM離線(xiàn)反激變換器電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。在U6107D中,內(nèi)部具有高精度65kHz開(kāi)關(guān)頻率振蕩器,且?guī)в卸额l功能可優(yōu)化EMI性能。芯片采用綠色節(jié)能模式和打嗝模式工作,對(duì)于小于40W的應(yīng)用可以保證小于75mW的待機(jī)功耗。 充電器芯片U6107D集成有完備的保護(hù)功能,包括:VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(OVP)、逐周期電流限制、短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、過(guò) 查看詳情
03-19 2025
PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管,顯著降低導(dǎo)通損耗,高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求,簡(jiǎn)化了電路布局! 在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前,同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后,芯片啟動(dòng),內(nèi)部控制 查看詳情
03-18 2025
集成GaN FET的帶恒功率快充電源芯片U8733L 一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動(dòng)調(diào)整工作模式,這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)恒功率輸出,同時(shí)保持較高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L,可以在充電器使用過(guò)程中,根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率,提高充電效率! 快充電源芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能,在恒功率區(qū)間,通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化,實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度,當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度, 查看詳情
03-17 2025
低成本15W原邊調(diào)節(jié)充電器ic U2315A 輸出電壓的穩(wěn)定需要反饋環(huán)節(jié),將其變化的信息送給PWM主控制器,從而對(duì)輸入電壓、輸出負(fù)載的變化實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。根據(jù)反饋取樣方式的不同,可分為原邊(初級(jí))調(diào)節(jié)和副邊(次級(jí))調(diào)節(jié)。銀聯(lián)寶今天介紹的是是一款高性能的原邊控制功率開(kāi)關(guān)——15W充電器icU2315A! 15W充電器icU2315A主要特點(diǎn): 1.集成 800V 高壓功率三極管 2.谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高 3.電源系統(tǒng)單點(diǎn)失效保護(hù) 4.多模式原邊控制方式 5.優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng) 6.集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū) 查看詳情
03-14 2025
5v2.4a電源芯片U6773V電磁兼容性強(qiáng)節(jié)能耐用 電磁兼容性強(qiáng)的芯片能夠在復(fù)雜電磁環(huán)境中正常工作,不會(huì)受到外部電磁干擾的影響,從而保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性;還能夠減少因電磁干擾導(dǎo)致的硬件故障和維修需求,從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。5v2.4a充電器icU6773V電磁兼容性較強(qiáng),而且具有節(jié)能環(huán)保特性,外圍電路也很簡(jiǎn)單,適合應(yīng)用在充電器、適配器等領(lǐng)域。 5v2.4a充電器icU6773V是高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。應(yīng)用靈活性?xún)r(jià)比高,最大限度地減少了系統(tǒng)元件的數(shù)目,用頻率調(diào)制方法來(lái)提高 查看詳情
03-13 2025
電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果 芯片在實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和傳輸?shù)裙δ艿倪^(guò)程中,會(huì)伴隨電阻、電容、電感等能量損耗,這些損耗會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能,因此會(huì)產(chǎn)生大量熱量。過(guò)高的溫度會(huì)影響電子設(shè)備工作性能,甚至導(dǎo)致電子設(shè)備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝,并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果,從而提高了散熱效率,積極保護(hù)電子設(shè)備。 電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線(xiàn)型電流模式PWM電源芯片,內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI 查看詳情
03-13 2025
優(yōu)化模式下低啟動(dòng)低消耗的充電器ic U6018 集成電路的啟動(dòng)電流主要用于激活電路中的各個(gè)組件,確保它們達(dá)到正常工作所需的電壓和電流條件。啟動(dòng)電流的大小對(duì)于電路的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要,過(guò)大的啟動(dòng)電流可能會(huì)對(duì)電路中的其他組件造成損害,而過(guò)小的啟動(dòng)電流則可能導(dǎo)致電路無(wú)法正常啟動(dòng)。來(lái)看看這顆優(yōu)化模式下低消耗的充電器icU6018! 在集成電路開(kāi)始工作之前,充電器icU6018只消耗啟動(dòng)電流(典型的2uA),這允許使用一個(gè)大值的啟動(dòng)電阻來(lái)最小化功率損耗,而通過(guò)啟動(dòng)電阻的電流從高壓直流總線(xiàn)給VDD保持電容器充電。當(dāng)VDD達(dá)到VD 查看詳情
03-12 2025
PSR-CVM和PSR-CCM兩種控制模式下的手機(jī)充電器芯片U95153 手機(jī)充電器芯片U95153典型輸出功率(85—264Vac)12W,谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高,恒流、恒壓調(diào)整率小于±5%。今天著重介紹下U95153原邊恒壓控制(PSR-CVM)和原邊恒流控制 (PSR-CCM)兩種模式! ■原邊恒壓控制(PSR-CVM) 在原邊控制技術(shù)中,當(dāng)原邊向副邊傳輸能量時(shí),通過(guò)采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓,得到輸出電壓反饋信號(hào)。下圖展示了手機(jī)充電器芯片U95153內(nèi)部的電壓采樣、消磁檢測(cè)和諧振谷底觸發(fā)的關(guān)鍵波形。 查看詳情
03-11 2025
穩(wěn)定運(yùn)行中的HSOP-7封裝氮化鎵電源ic U8722AH 寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著,當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行,不會(huì)因電壓的波動(dòng)而損壞或影響性能。這種特性對(duì)于保障設(shè)備的持續(xù)、穩(wěn)定工作至關(guān)重要! 針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源icU8722AH集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時(shí),Boost電路啟動(dòng) 查看詳情
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