- 05-23 2025
- 同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應用 氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉換效率！ 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流芯片U7106特性 查看詳情
- 05-22 2025
- 65W集成EMI優(yōu)化技術的E-GaN電源芯片U8722FE E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN 查看詳情
- 05-22 2025
- 全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！ 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能 查看詳情
- 05-21 2025
- 氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 查看詳情
- 05-20 2025
- 30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH CS管腳通常用于采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現(xiàn)過流保護功能。此外，CS管腳還可以用于設定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復用CS管腳以設定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，氮化鎵電源icU8724AH通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟 查看詳情
- 05-19 2025
- 氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護電路安全運行 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、 查看詳情
- 05-16 2025
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)( 查看詳情
- 05-15 2025
- 20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗 谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負載變化時因谷底跳頻導致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下 查看詳情
- 05-15 2025
- 45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應對各類技術挑戰(zhàn)，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E 查看詳情
- 05-14 2025
- 30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731 GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現(xiàn)更高效的功率轉換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能 查看詳情
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