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04-25 2025
20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點,為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳: 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管 查看詳情
04-24 2025
具有雙LDO供電配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器,當(dāng)配合外置MOS使用時,可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電,降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能,支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設(shè)計對同步整流icU 查看詳情
04-24 2025
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件(如MOSFET)、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝,省去分立元件布局,顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能! 氮化鎵快充芯片U8723AH特性: ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流,待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2 查看詳情
04-23 2025
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段,U8766通過芯片HV腳對VDD充電,當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時,高壓供電關(guān)閉。輸出建立后,芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中,當(dāng)VDD低于3V時,高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA),小電流充電,可以 查看詳情
04-22 2025
銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同,今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處! ▲U8733L Vds 耐壓650V,Rdson內(nèi)阻0.8R,ID電流2.5A,推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V,Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R,ID電流3.3A,推薦功率33W-45W ▲封裝 查看詳情
04-21 2025
700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù),通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動,以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時,U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束 查看詳情
04-18 2025
12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時,U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定,每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4,引腳名稱如下: 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢 查看詳情
04-17 2025
充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機(jī)應(yīng)用需求 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實時檢測交流輸入狀態(tài),市電斷開時觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯,集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能,解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問題。采用SOP-8封裝,HV引腳集成650V VDMOS,提升了耐壓性能! 充電器icU7576主要特點: 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度;±1%恒壓精度 5.待機(jī)功 查看詳情
04-17 2025
電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實時監(jiān)測負(fù)載狀態(tài),自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率,輕載或空載時降低頻率(如待機(jī)狀態(tài)),減少開關(guān)損耗,典型待機(jī)功耗可低于50mW;重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性,確保系統(tǒng)效率最優(yōu)! ■高壓啟動電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機(jī)過程中該啟動單元開始工作,從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進(jìn)行充電,如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至 查看詳情
04-16 2025
帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流芯片U7269 同步整流芯片U7269具有雙LDO供電。圖1展示了低端配置的典型系統(tǒng)架構(gòu),這種供電方式的優(yōu)點在于其支持的輸出電壓范圍廣,即使輸出電壓降低到0V SR也能正常工作。 同步整流芯片U7269亦支持高端應(yīng)用,有兩類配置方式。圖2中Vo引腳直接和HV引腳相連,此時VDD電壓會穩(wěn)定在9V左右。 圖3中Vo引腳和GND引腳相連,此時VDD電壓穩(wěn)定在6V左右。 同步整流芯片U7269主要特點: 支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位(AC 查看詳情
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