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[公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07: 充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓?jiǎn)?dòng)、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯(cuò)過(guò)！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成高壓 E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28: 45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！氮化鎵電源芯片U8722EE特性：集成700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置集成 Boost 供電電路集成完備的保護(hù)功能： VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OV; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動(dòng)低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16: 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過(guò)該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過(guò)芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39: 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能; 閱讀（19）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對(duì)充電問(wèn)題2025年05月21日 14:36: 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋(píng)果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，; 閱讀（19）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗2025年05月15日 14:33: 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)?、?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時(shí)因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問(wèn)題，延長(zhǎng)器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來(lái)了一定的提升！氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54: 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 *; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49: 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能2025年05月09日 11:32: 芯片恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過(guò)熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來(lái)看看！氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]5V2.1A電源方案推薦主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58: 5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開(kāi)關(guān)電源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有興趣的小伙伴可以來(lái)電詢問(wèn)詳細(xì)資料。今天簡(jiǎn)單介紹下！開(kāi)關(guān)電源芯片U92143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用U92143可以工作無(wú)異音，同時(shí)可保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。利用集成的線損補(bǔ)償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。開(kāi)關(guān)電源芯片U92143集成有多種保護(hù)功能：如VDD欠壓保護(hù)(UVLO); 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W2025年04月10日 11:19: 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]高精度高兼容性小家電開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S2025年04月02日 14:55: 小家電作為智能家居的入門級(jí)產(chǎn)品，以超高的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)風(fēng)靡消費(fèi)市場(chǎng)。得益于國(guó)產(chǎn)小家電開(kāi)關(guān)電源芯片的單顆價(jià)格成本下降，推動(dòng)了小家電的迅速普及和銷量暴增。預(yù)計(jì)未來(lái)智能家電市場(chǎng)滲透率超60%，將直接帶動(dòng)開(kāi)關(guān)電源芯片市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)張。深圳銀聯(lián)寶科技將持續(xù)為您供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的開(kāi)關(guān)電源芯片，做好服務(wù)，做好支持！銀聯(lián)寶今日推薦的開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S，在176VAC-265VAC推薦輸出15W，在85VAC-265VAC推薦輸出12W，高集成度高性價(jià)比，不僅內(nèi)部元器件的品質(zhì)好，有認(rèn)證，還具有多模式控; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]“芯”產(chǎn)品開(kāi)箱——12v1a充電器芯片U6203D2025年03月21日 14:55: 華為手機(jī)新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機(jī)，折疊起來(lái)，就變成小手機(jī)，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴(kuò)屏使用，橫過(guò)來(lái)用就像平板一樣體驗(yàn)。這款新品為折疊屏手機(jī)的發(fā)展打開(kāi)了新思路，或許會(huì)為未來(lái)的手機(jī)和手機(jī)配件市場(chǎng)注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的手機(jī)充電器芯片，誠(chéng)意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)，內(nèi)置4A高壓MOS，適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗、低成本離線; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45: 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求，簡(jiǎn)化了電路布局！在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成GaN FET的帶恒功率快充電源芯片U8733L2025年03月18日 14:51: 一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動(dòng)調(diào)整工作模式，這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)恒功率輸出，同時(shí)保持較高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L，可以在充電器使用過(guò)程中，根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率，提高充電效率！快充電源芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，; 閱讀（25）標(biāo)簽：

[公司新聞]典型應(yīng)用下空載功耗<75mW的5v2a充電器ic U521432025年03月06日 10:39: 想要在旅行途中閱讀，可以考慮使用電子書(shū)閱讀器或者手機(jī)閱讀軟件。深圳銀聯(lián)寶科技有一款專門為旅行配備的充電器icU52143，內(nèi)置功率BJT，可用于11W以內(nèi)的離線式開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品，PWM+PFM 多模式混合控制，從而可以獲得高精度的恒壓恒流控制效果，且無(wú)需任何次級(jí)采樣和控制電路。同時(shí)，5v2a充電器ic U52143還內(nèi)置了輸入線電壓補(bǔ)償以及輸出線纜補(bǔ)償，從而可以獲得更好的電壓和電流調(diào)整率。U52143內(nèi)置了大量的補(bǔ)償以及保護(hù)功能，從而簡(jiǎn)化了外圍電路，利于PCB布局及EMI設(shè); 閱讀（15）標(biāo)簽：

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